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單晶鑄錠硅片
低能耗
以多晶鑄錠技術為基礎，通過設備工藝改造，以定向凝固的方式生長出單晶
低成本
獨創的籽晶回收技術，及多種大尺寸籽晶加工優勢
高質量
全新熱場設計及籽晶拼接技術，對流充分排雜好，有效控制結構缺陷及位錯產生
高效率
平均轉化效率和直拉單晶僅相差在在0.3%-0.5%以內
產品 規格 線痕 硅片厚度差 翹曲度 單晶面積 垂直度 鑄造單晶系列 158.75±0.25mm ≤15um ≤27um ≤50um ≥99% 90°±0.25° 166±0.25mm 182±0.25mm 210±0.25mm